[发明专利]Tb-Fe-Co三元稀土合金磁性纳米线薄膜的制备方法

摘要

本发明为一种Tb‑Fe‑Co三元稀土合金磁性纳米线薄膜的制备方法。该方法是在水溶液中利用电化学沉积的方法制备Tb‑Fe‑Co纳米线薄膜，通过将甘氨酸加入Tb‑Fe‑Co溶液体系中，甘氨酸与Tb形成络合物，还原电位正移，同时增大pH值，减弱析氢反应，从而将Tb³⁺从溶液中还原出来。本发明工艺简单，成本低且成功率高，可以通过控制电解液成分比例及沉积工艺条件来调节合金沉积膜的组成。

主权项

1.一种Tb‑Fe‑Co三元稀土合金磁性纳米线薄膜的制备方法，其特征为该方法包括以下步骤：第一步，AAO模板喷金处理将AAO模板放入离子溅射仪中，以Au为靶材，溅射电流为10mA、真空度为3x10‑2Pa的条件下喷金5min～10min，在AAO模板的一面溅射一层Au原子，Au原子层厚度为1μm～10μm；第二步，Fe‑Co沉积液和Tb‑Fe‑Co沉积液的配制将氯化亚铁、氯化钴、硼酸(H3BO3)、柠檬酸(C6H8O7)和抗坏血酸(C6H8O6)加入到去离子水中，配制得到Fe‑Co合金电解沉积液；沉积液中各物料的浓度为：C(氯化亚铁)＝0.35mol/L～0.55mol/L，C(氯化钴)＝0.15mol/L～0.35mol/L，C(H3BO3)＝0.4mol/L～0.6mol/L，C(C6H8O7)＝0.05mol/L～0.09mol/L，C(C6H8O6)＝0.01mol/L～0.03mol/L；将氯化铽、氯化亚铁、氯化钴、硼酸(H3BO3)、甘氨酸(C2H5NO2)和抗坏血酸(C6H8O6)加入到去离子水中，配制得到Tb‑Fe‑Co合金电解沉积液；沉积液中各物料的浓度为：C(氯化铽)＝0.4mol/L～1mol/L，C(氯化亚铁)＝0.1mol/L～1mol/L，C(氯化钴)＝0.1mol/L～1mol/L，C(H3BO3)＝0.4mol/L～0.6mol/L，C(C2H5NO2)＝0.25mol/L～0.65mol/L，C(C6H8O6)＝0.01mol/L～0.03mol/L；第三步，Tb‑Fe‑Co多元稀土合金磁性纳米线的沉积将AAO模板安装在沉积槽中，首先将Fe‑Co合金电解沉积液倒入沉积槽中，以AAO模板为阴极，石墨为阳极，通电直流电压为2V～3V，沉积电流为0.5mA～20mA，同时用磁力搅拌器搅拌溶液；通电10s～60s，在AAO模板孔洞的底部沉积部分Fe‑Co二元纳米线，然后将Fe‑Co合金电解沉积液倒出，再倒入Tb‑Fe‑Co合金电解沉积液，通电时间0.5h～12h，即可制得Tb‑Fe‑Co合金纳米线。