[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体单元具备台面部；台面部上的肖特基电极；绝缘膜，形成在接近台面部的上表面的一端的肖特基电极的一部分、台面部的侧面以及半导体层的表面上；以及形成在肖特基电极和绝缘膜上的布线电极。台面部的侧面与半导体层的表面所成的角为90度。布线电极位于台面部上的相对的绝缘膜之间。绝缘膜在半导体层的表面上相互连接，并将布线电极和半导体层隔开。

主权项

一种半导体装置，是具备形成于半导体层的多个半导体单元的半导体装置，上述半导体装置的特征在于上述半导体单元具备：台面部，是在上述半导体层向上方突出的部分，上述台面部具备上表面和侧面；肖特基电极，在上述台面部的上述上表面与上述半导体层进行肖特基接触；绝缘膜，连续地形成在上述台面部的上述侧面、在上述台面部的上述上表面上比上述肖特基电极的一部分接近上述上表面的一端的上述肖特基电极的另一部分及上述半导体层的上述台面部以外的表面上；以及布线电极，形成在上述肖特基电极和上述绝缘膜上，上述台面部的上述侧面与上述半导体层的上述表面所成的角为85度以上90度以下，上述布线电极的一部分位于形成于相邻的上述台面部的相对的上述侧面的上述绝缘膜之间。