[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710711624.8 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN108630601B | 公开（公告）日： | 2021-12-07 |
| 发明（设计）人： | 大野天颂;藤田努 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种抑制裂纹的产生的半导体装置的制造方法。实施方式的半导体装置的制造方法具备如下步骤：将相对于晶片具有透射性的激光沿着所述晶片的切割线的一部分照射而在所述晶片内形成第1改质带；及将所述激光沿着所述晶片的切割线照射而在所述晶片内形成第2改质带。所述第1改质带局部形成在形成半导体配线层的所述晶片表面与所述第2改质带之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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