[发明专利]紫光LED外延结构及其生长方法

摘要

本发明提供一种紫光LED外延结构，该外延结构由下向上的顺序依次为：AlN Buffer层、高温UGaN层、复合N型GaN层、多量子阱结构MQW、有源区发光多量子阱层、EBL电子阻挡层和P型GaN层；有源区发光多量子阱层由n层In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱组成；每层In_xGa_1‑xN/Al_yGa_1‑yN多量子阱由主势垒和嵌套在所述主势垒中间的活动势垒组成；主势垒由Al_yGa_1‑yN组成，主势垒高度随Al组分增加梯度增加；活动势垒由GaN组成，每层活动势垒的厚度在1‑20nm之间。本发明的紫光LED外延结构及其生长方法降低了量子阱中的应力，提高了空穴的注入效率，并抑制有源层电子的溢出，提高了载流子的复合几率和紫外LED的内量子效率。

主权项

1.一种紫光LED外延结构，其特征在于，所述外延结构由下向上的顺序依次为：AlN Buffer层；位于所述ALN Buffer层上的高温UGaN层；位于所述UGaN层上的复合N型GaN层；位于所述复合N型层上的多量子阱结构MQW；位于所述多量子阱结构MQW上的有源区发光多量子阱层；位于所述有源区发光多量子阱层上的EBL电子阻挡层；位于所述EBL电子阻挡层上的P型GaN层；所述有源区发光多量子阱层由n层InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱组成，其中n为整数，取值范围为8‑12；每层所述InxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱由主势垒和嵌套在所述主势垒中间的活动势垒组成，所述主势垒与所述活动势垒交替生长；所述主势垒由AlyGa1‑yN组成，所述主势垒高度随Al组分增加梯度增加，其中，y取值范围为0.05‑0.5；所述活动势垒由GaN组成，其中，每层所述活动势垒的厚度在1‑20nm之间。