[发明专利]一种电容式MEMS传感器阵列在审

专利信息
申请号: 201710703888.9 申请日: 2017-08-16
公开(公告)号: CN107334461A 公开(公告)日: 2017-11-10
发明(设计)人: 王洪超;宋军华;曹健;卢狄克;王晓琴;陈金 申请(专利权)人: 北京先通康桥医药科技有限公司
主分类号: A61B5/00 分类号: A61B5/00;A61B5/22;A61B8/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 101318 北京市顺义*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种电容式MEMS传感器阵列,包括至少3个纵向排列乘以至少3个横向排列的电容式MEMS传感器,所述电容式MEMS传感器包括聚焦层、上电极、上电极引出线、上电极引出板、上电极数据复合引入板、震动薄膜、间隙空腔、支撑层、绝缘层、下电极、下电极引出线、下电极引出板、下电极数据复合引入板、阵列基底层、自动切换单元、成像信号整合单元,所述自动切换单元控制电容式MEMS传感器在触压功能状态与超声功能状态之间切换,控制电容式MEMS传感器采集触压信号或者超声信号,成像信号整合单元整合上述数据信号,输出立体的三维形态数据信号。
搜索关键词: 一种 电容 mems 传感器 阵列
【主权项】:
一种电容式MEMS传感器阵列,包括至少3个纵向排列乘以至少3个横向排列的电容式MEMS传感器(6),所述电容式MEMS传感器(6)包括聚焦层(4),上电极(1),上电极引出线(11),上电极引出板(12),上电极数据复合引入板(14),震动薄膜(31),间隙空腔(32),支撑层(33),绝缘层(34),下电极(2),下电极引出线(21),下电极引出板(22),下电极数据复合引入板(24),阵列基底层(35),所述聚焦层(4)位于上电极(1)上层,整体外表面呈平展形状,所述上电极(1)与下电极(2)垂直对应,所述震动薄膜(31)选用SiN和SiO复合膜,保证未施加偏置电压时震动薄膜(31)的平展性,所述下电极(2)与阵列基底层(35)紧密贴合,所述阵列基底层(35)外侧面整体呈平展形状,阵列基底层(35)内侧面呈间断式规律的倒置去尖顶金字塔形状或者研钵体形状,其特征在于,还包括自动切换单元(71)和成像信号整合单元(72),所述自动切换单元(71)控制电容式MEMS传感器(6)在触压功能状态与超声功能状态之间切换,控制电容式MEMS传感器(6)采集触压信号或者超声信号;所述成像信号整合单元(72)接收每个电容式MEMS传感器(6)输出的触压信号和/或超声信号,并将触压信号采集的横截面大小、形状数据信号与超声信号采集的距离皮肤深度、囊实性数据信号整合,输出立体的三维形态数据信号。
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