[发明专利]一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器

摘要

本发明属于半导体光电子器件技术领域，具体涉及一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，包括衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，N型欧姆接触电极，吸收层，二维δ掺杂层，P型欧姆接触层，P型欧姆接触电极；其中，所述二维δ掺杂层为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层制作在吸收层之上。本发明通过同质二维δ掺杂层来调节电场分布，从而提高P区光生载流子的收集效率，进而提高探测器的光谱响应率。

主权项

一种同质界面二维δ掺杂型PIN紫外探测器，其特征在于包括：一衬底(1)；一缓冲层(2)，该缓冲层(2)制作在衬底(1)上；一N型欧姆接触层(3)，该N型欧姆接触层(3)制作在缓冲层(2)上；一N型欧姆接触电极(7)，该N型欧姆接触电极(7)为环形结构，且制作在N型欧姆接触层(3)上；一吸收层(4)，该吸收层(4)为弱N型半导体材料制成，该吸收层(4)制作在N型欧姆接触层(3)上，且位于环形N型欧姆接触电极(7)围成的区域内；一二维δ掺杂层(5)；一P型欧姆接触层(6)，该P型欧姆接触层(6)制作在二维δ掺杂层(5)之上；一P型欧姆接触电极(8)，该P型欧姆电极(8)制作在P型欧姆接触层(6)之上；其中，所述二维δ掺杂层(5)为高掺杂N型半导体材料制成，所述二维δ掺杂层(5)制作在吸收层(4)之上。