[发明专利]基于InP衬底剥离的红外光电探测器及其预制件的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于InP衬底剥离的红外光电探测器的制备方法，在所述InP衬底上形成停刻层；在所述停刻层表面形成保护层；在所述保护层表面形成腐蚀剥离层；在所述腐蚀剥离层表面形成探测器外延层，在所述探测器外延层的第一表面形成第一电极，得到红外光电探测器预制件；在预制件外延层第一电极表面形成支撑部；通过腐蚀剂腐蚀所述腐蚀剥离层，使所述探测器外延层脱离所述保护层，得到剥离件；在所述剥离件与支撑部相对的一面上形成第二电极，并退火，得到红外光电探测器；本发明的探测器制备方式可将InP衬底进行重复利用，降低器件生产成本；同时可将探测器制备成柔性器件，扩大其应用范围。

主权项

一种基于InP衬底剥离的红外光电探测器预制件的制备方法，其特征在于包括，在所述InP衬底上形成停刻层；在所述停刻层表面形成保护层；在所述保护层表面形成腐蚀剥离层；在所述腐蚀剥离层表面形成探测器外延层，在所述探测器外延层的第一表面形成第一电极，得到红外光电探测器预制件。