[发明专利]一种太赫兹波段多层超材料宽带吸波体

摘要

本发明涉及一种太赫兹波段多层超材料宽带吸波体。该超材料吸波体由单层宽带吸波体和岛形结构叠加组成。其中单层吸波体由金属图案‑电介质‑金属底板的三明治结构组成。金属图案是由四个相同尺寸大小的开口谐振环排列构成，开口谐振环间唯一区别便是底部高度不同。此单层吸波体适当优化参数后可具有近乎完美的吸收率，而且拥有较大的半高宽。继续在单层吸波体单元的基础上叠加岛形结构，并且让每个岛形结构都覆盖在开口谐振环的正上方。岛形结构对原来的吸收峰有较小的影响，并且可以在高频带附近增加一个新的吸收峰来扩大带宽。这个增加了岛形结构的吸波体拥有极大的相对带宽，远高于同期水平，具有很广泛的应用前景。

主权项

1.一种太赫兹波段多层超材料宽带吸波体，所述吸波体是由吸波单元在x，y方向上周期性延拓形成；其特征在于：所述吸波单元的外轮廓为正方形，吸波单元均包括底层金属板（1）、第一电介质层（2）和四个开口谐振环（3）；/n第一电介质层（2）的上下表面分别与四个开口谐振环（3）下表面和底层金属板的（1）的上表面相贴，形成一个单层电介质的三明治结构的宽带吸波体；/n四个开口谐振环（3）在电介质层（2）上阵列分布，大小相同，开口方向相同，并且按顺时针方向，从第一个开口谐振环（3-1）到第四个开口谐振环（3-4）依次增加底部高度，其它尺寸参数完全一样；/n在四个开口谐振环（3）的正上方分别覆盖一个岛形结构（4）；/n所述岛形结构（4）包括第二电介质层（4-4）、第一金属块（4-3）、第三电介质层（4-2）和第二金属块（4-1）；第二电介质层（4-4）垂直覆盖在开口谐振环（3）正上方，而且长和宽与其保持一致；在第二电介质层（4-4）正上方依次堆叠第一金属块（4-3）、第三电介质层（4-2）和第二金属块（4-1），其中第一金属块（4-3）和第二金属块（4-1）完全相同，并且和第三电介质层（4-2）形状一致；第二电介质层（4-4）和第三电介质层（4-2）厚度相近。/n