[发明专利]应用于LVDS驱动电路的低温度系数参考电压源有效
| 申请号： | 201710685673.9 | 申请日： | 2017-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN107463198B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 高静;周游;徐江涛;史再峰;聂凯明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，为提出一种低温度系数参考电压源电路，可以在一个较宽的温度范围内得到一个低温度系数的参考电压，同时兼容CMOS工艺的制作，不需要额外的工艺步骤，节省电路制作的成本。为此，本发明采用的技术方案是，应用于LVDS驱动电路的低温度系数参考电压源，由一个NMOS管NX,两个PMOS管P1和P2，三个电阻分别是R2a、R2b和R1，以及一个放大器OTA组成。本发明主要应用于集成电路设计制造场合。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 lvds 驱动 电路 温度 系数 参考 电压 | ||
【主权项】：
1.一种应用于LVDS驱动电路的低温度系数参考电压源，其特征是，由一个NMOS管NX,两个PMOS管P1和P2，三个电阻分别是R2a、R2b和R1，以及一个放大器OTA组成；连接关系如下：放大器OTA的负输入端与节点B连接，正输入端与节点A连接，输出与节点D连接。电阻R1的端1与地连接，端2与节点A连接；PMOS管P1的漏极与节点A连接，源极与电源连接，衬底与电源连接，栅极与节点D连接；PMOS管P2的漏极与节点B连接，源极与电源连接，衬底与电源连接，栅极与节点D连接；电阻R2a的端1与节点C连接，端2与节点B连接；电阻R2b的端1与节点C连接，电阻R2b的端2与NMOS管NX的漏极连接；NMOS管NX的源端接地，衬底接地，栅极与节点B连接，漏极与电阻R2b的端2连接。
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