[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710684423.3 申请日: 2012-12-19
公开(公告)号: CN107424972A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 内田慎一;长濑宽和;船矢琢央 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/522;H01L23/528;H01L27/06;H01L23/488
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 高培培,戚传江
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种半导体装置。在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间,在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈,在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈,它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时,在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,具有:半导体基板;以及隔着绝缘层形成在所述半导体基板上的第1线圈、第2线圈、第3线圈、第4线圈、第1焊盘、第2焊盘以及第3焊盘,其中,所述第1线圈和所述第3线圈串联地电连接在所述第1焊盘与所述第2焊盘之间,在所述第1线圈与所述第3线圈之间电连接有所述第3焊盘,所述第2线圈和所述第4线圈串联地电连接,所述第1线圈配置在所述第2线圈的上方,所述第3线圈配置在所述第4线圈的上方,所述第1线圈与所述第2线圈不通过导体连接而磁耦合,所述第3线圈与所述第4线圈不通过导体连接而磁耦合,当在串联连接的所述第2线圈和所述第4线圈中流过电流时,在所述第1线圈和所述第3线圈中流过的感应电流的方向在所述第1线圈和所述第3线圈中为相反方向。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710684423.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top