[发明专利]一种氮化镓薄膜晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710680935.2 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107464851A | 公开（公告）日： | 2017-12-12 |
| 发明（设计）人： | 陈荣盛;刘远;吴朝晖;李斌;李国元 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司44205 | 代理人： | 胡辉 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓薄膜晶体管及其制造方法，晶体管包括从下至上分布的衬底、缓冲层和氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜上设有源漏接触电极和栅介质层，所述栅介质层上设有栅电极。本发明采用了顶栅结构，减少了寄生电容，降低了栅极的驱动电压，采用直流磁控溅射法沉积氮化镓薄膜，所得到的氮化镓薄膜质量高，内部的缺陷态少；对氮化镓薄膜的源漏区注入硅离子并且退火，得到N型重掺杂源漏区，N型重掺杂源漏区与电极形成了良好的欧姆接触，降低了源漏电极的接触电阻，使得器件的迁移率变高、亚阈值摆幅变小和开关电流比增加。本发明可以广泛应用于半导体领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓薄膜晶体管，其特征在于：包括从下至上分布的衬底、缓冲层和氮化镓薄膜，所述氮化镓薄膜上设有源漏接触电极和栅介质层，所述栅介质层上设有栅电极；所述氮化镓薄膜从左至右分为三个区域，其中，氮化镓薄膜左右的两个区域为N型重掺杂源漏区，中间的区域为无掺杂氮化镓区，所述源漏接触电极与氮化镓薄膜的N型重掺杂源漏区欧姆接触。
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