[发明专利]自对准超结结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201710678340.3 | 申请日： | 2017-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN107507857B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 王代利 | 申请（专利权）人： | 华润微电子（重庆）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种自对准超结结构及其制备方法，包括如下步骤：1）提供一第一掺杂类型的衬底，并于第一掺杂类型的衬底的上表面形成第一掺杂类型的外延层；2）于第一掺杂类型的外延层的上表面形成第一本征外延层；3）于第一本征外延层内形成若干个平行间隔排布的沟槽；4）于沟槽相对两侧的第一本征外延层内分别形成第一掺杂类型区域及第二掺杂类型区域；5）于沟槽内形成第二本征外延层；6）将步骤5）得到的结构进行热退火处理。本发明的制备方法相较于现有技术，具有对沟槽线宽要求低、工艺规范宽、工艺兼容性好、产品参数稳定性高及制造成本低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准超结结构的制备方法，其特征在于，所述自对准超结结构的制备方法包括如下步骤：1)提供一第一掺杂类型的衬底，并于所述第一掺杂类型的衬底的上表面形成第一掺杂类型的外延层；2)于所述第一掺杂类型的外延层的上表面形成第一本征外延层；3)于所述第一本征外延层内形成若干个平行间隔排布的沟槽，所述沟槽自上至下贯穿所述第一本征外延层，且所述沟槽的底部延伸至所述第一掺杂类型的外延层内；4)于所述沟槽相对两侧的第一本征外延层内分别形成第一掺杂类型区域及第二掺杂类型区域，所述第一掺杂类型区域及所述第二掺杂类型区域均自上至下贯穿所述第一本征外延层，所述第一掺杂类型区域内离子的电荷类型与所述第二掺杂类型区域内离子的电荷类型相反，且所述第一掺杂类型区域内的电荷总量与所述第二掺杂类型区域内的电荷总量相同；5)于所述沟槽内形成第二本征外延层，所述第二本征外延层填满所述沟槽；6)将步骤5)得到的结构进行热退火处理，以得到若干个沿平行于所述第一本征外延层上表面的方向交替排布的第一掺杂类型区域及第二掺杂类型区域。
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