[发明专利]低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法在审
| 申请号： | 201710671760.9 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107706178A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 黄立平 | 申请（专利权）人： | 钰创科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低漏电流的动态随机存取存储器及其相关制造方法。所述制造方法包含在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。因此，所述多个轻掺杂漏极可有效降低所述动态随机存取存储器的总漏电流。也就是说本发明将可使具有所述动态随机存取存储器的便携式电子产品的待机时间大幅延长。 | ||
| 搜索关键词： | 漏电 动态 随机存取存储器 及其 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种低漏电流的动态随机存取存储器的制造方法，包含：在一基底内形成所述动态随机存取存储器的多个栅极；通过一第一离子注入在所述基底内形成所述动态随机存取存储器的多个漏/源极；及其特征在于还包含：在所述多个漏/源极形成后，通过一第二离子注入在所述多个漏/源极的全部漏/源极或部分漏/源极的下方形成多个轻掺杂漏极，其中所述多个轻掺杂漏极是用来降低所述动态随机存取存储器内的漏电流，且所述第二离子注入具有一预定入射角度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
