[发明专利]半导体装置以及制造该半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710668355.1 | 申请日： | 2017-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN107799500B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 确利和;深谷和秀;小清水亮 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一布线层，所述第一布线层形成在所述半导体衬底上方；绝缘膜，所述绝缘膜覆盖所述第一布线层并且具有第一贯通孔，所述第一布线层通过所述第一贯通孔暴露；第一导电膜，所述第一导电膜具有沿着所述第一贯通孔的侧壁表面部署的侧壁部分，在所述第一贯通孔的底部上所述第一导电膜的厚度不大于所述第一贯通孔的深度的1/2，并且所述第一导电膜不在所述绝缘膜上方延伸；以及第二导电膜，所述第二导电膜形成在所述第一导电膜上方、被嵌入在所述第一贯通孔中并且由铝制成。
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