[发明专利]一种IGBT器件有效
| 申请号： | 201710667988.0 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107516669B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 任敏;林育赐;罗蕾;谢驰;李佳驹;李泽宏;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/10 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种IGBT器件，属于功率器件技术领域。本发明包括自下而上依次层叠的金属化集电极、第一导电类型半导体集电区、第二导电类型半导体漂移区和金属发射极；第二导电类型半导体漂移区中具有栅极结构和位于栅极结构两侧的第一导电类型半导体基区，第一导电类型半导体基区中第一导电类型半导体接触区、第二导电类型半导体发射区；并且第一导电类型半导体基区的掺杂浓度自靠近金属发射极至远离金属发射极方向逐渐增大。本发明通过合理调整基区的掺杂浓度，使得其靠近发射区侧的浓度较低形成基区少子减速场以抑制闩锁的发生，藉此在不影响IGBT正常工作特性的情况下提高了IGBT器件的抗闩锁能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，包括金属化集电极(1)、第一导电类型半导体集电区(2)、第二导电类型半导体漂移区(3)、栅极结构、第一导电类型半导体基区(8)、第一导电类型半导体接触区(7)、第二导电类型半导体发射区(6)和金属发射极(10)；金属化集电极(1)位于第一导电类型半导体集电区(2)的背面，第二导电类型半导体漂移区(3)位于第一导电类型半导体集电区(2)的正面，且第二导电类型半导体漂移区(3)上方与金属发射极(10)相连；第二导电类型半导体漂移区(3)的顶层设置有第一导电类型半导体基区(8)；第一导电类型半导体基区(8)上还具有栅极结构，栅极结构包括多晶硅栅电极(4)、栅介质层(5)和绝缘介质层(9)，并且栅极结构从第一导电类型半导体基区(8)的中部穿过并进入第二导电类型半导体漂移区(3)；栅极结构两侧的第一导电类型半导体基区(8)分别具有相互独立的第一导电类型半导体接触区(7)、第二导电类型半导体发射区(6)；多晶硅栅电极(4)与其两侧的第一导电类型半导体基区(8)和第二导电类型半导体发射区(6)及其底侧的第二导电类型半导体漂移区(3)之间隔着栅介质层(5)；多晶硅栅电极(4)与其顶侧的金属发射极(10)之间隔着绝缘介质层(9)；其特征在于：第一导电类型半导体基区(8)的掺杂浓度自靠近金属发射极(10)至远离金属发射极(10)方向逐渐增大。
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