[发明专利]一种多层共烧陶瓷基板高密度金属化通孔的制作方法在审
| 申请号： | 201710665216.3 | 申请日： | 2017-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN107492519A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 岳帅旗;杨宇;刘志辉;束平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 项霞 |
| 地址： | 610036 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多层共烧陶瓷基板高密度金属化通孔的制作方法。该方法包括对保留有自带PET膜的生瓷从未带膜的一面进行激光打孔，所述孔仅贯穿生瓷部分；对各层生瓷进行印刷填孔；对填孔后的生瓷通过平面加压的方式进行通孔整平；将各层加工好的生瓷进行对位叠层，每叠一层，首先使该层生瓷与前一层生瓷实现层间整体预固定，然后再脱掉该层生瓷的自带PET膜,依次进行,直至叠层全部完成。本方法与常规多层共烧陶瓷基板工艺兼容，能够实现大于1000孔/cm2的高密度通孔制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多层 陶瓷 高密度 金属化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种多层共烧陶瓷基板高密度金属化通孔的制作方法，其特征在于，包含如下步骤：步骤一：对保留有自带PET膜的生瓷进行打孔,所述孔为仅生瓷部分贯穿的通孔；步骤二：对各层生瓷进行填孔；步骤三：对印刷填孔后的生瓷通过平面加压进行通孔整平；步骤四：将各层加工好的生瓷进行对位叠层,每叠一层，首先使该层生瓷与前一层生瓷实现层间整体预固定，然后再脱掉该层生瓷的PET膜,依次进行,直至叠层完毕。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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