[发明专利]一种薄膜沉积方法和沉积薄膜

摘要

本发明提供了一种薄膜沉积方法，包括：载入承载有晶圆的晶舟至低压化学气相沉积炉内；预先加热晶圆，对低压化学气相沉积炉进行第一升温操作，在预热升温斜率下达到第一反应温度；形成薄膜于晶圆上，包含在低压化学气相沉积炉内导入反应气体、进行化学反应并沉积在晶圆的基板表面，在沉积过程时，对低压化学气相沉积炉内的温度进行在緩升/降温斜率下至少一段的緩升/降温反应操作，以使薄膜在晶圆上的中央区域与周边区域具有一致的沉积厚度；及在冷却降温斜率下冷却晶圆。本发明通过控制沉积过程中缓升/降温斜率，可改变晶圆从中央区域到周边区域的薄膜厚度差，改善晶圆表面的平坦度和均匀度，从而形成具有良好平坦度和均匀度的沉积薄膜。

主权项

1.一种薄膜沉积方法，包括：载入承载有晶圆的晶舟至低压化学气相沉积炉(LPCVD)内；预先加热所述晶圆，对所述低压化学气相沉积炉进行第一升温操作，在预热升温斜率下达到第一反应温度；形成薄膜于所述晶圆上，包含：在所述低压化学气相沉积炉内导入反应气体、进行化学反应并沉积在所述晶圆的基板表面，在沉积过程时，对所述低压化学气相沉积炉内的温度进行在緩升/降温斜率下至少一段的緩升/降温反应操作，以使所述薄膜在所述晶圆上的中央区域与周边区域具有一致的沉积厚度；及在冷却降温斜率下冷却所述晶圆，其中所述缓升/降温斜率的上下限点控制在使所述缓升/降温反应操作在薄膜沉积的最高限制温度和最低限制温度之间进行，并且所述缓升/降温斜率的正数小于所述预热升温斜率的正数。