[发明专利]半导体装置及电气设备有效

专利信息
申请号: 201710659413.4 申请日: 2017-08-04
公开(公告)号: CN108417549B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 大田刚志;野中裕子;五郎丸麻美;仲敏行;安原纪夫 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/488;H01L29/41;H01L29/739
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。
搜索关键词: 半导体 装置 电气设备
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:第1电极;第1导电型的第1半导体区域,设在上述第1电极之上,上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部,上述多个第1部分沿着第1方向和与上述第1方向垂直的第2方向排列,上述多个第1突出部分别从上述多个第1部分突出;相互隔开间隔的第2导电型的第2半导体区域,上述第2半导体区域设在除了上述多个第1部分及上述多个第1突出部以外的上述第1半导体区域中;第2导电型的第3半导体区域,设在上述第1半导体区域及上述多个第2半导体区域之上;第1导电型的第4半导体区域,设在上述第3半导体区域之上;第2导电型的第5半导体区域,有选择地设在上述第4半导体区域之上;栅极电极,隔着栅极绝缘层而与上述第4半导体区域面对;以及第2电极,设在上述第5半导体区域之上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710659413.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top