[发明专利]半导体装置及电气设备有效
申请号: | 201710659413.4 | 申请日: | 2017-08-04 |
公开(公告)号: | CN108417549B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 大田刚志;野中裕子;五郎丸麻美;仲敏行;安原纪夫 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/488;H01L29/41;H01L29/739 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 实施方式的半导体装置具有第1电极、第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的多个第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、第2导电型的第5半导体区域、栅极电极和第2电极。上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部。多个第1部分沿着第1方向和与第1方向垂直的第2方向排列。多个第1突出部分别从多个第1部分突出。第1半导体区域设在第1电极之上。多个第2半导体区域相互隔开间隔而设在除了多个第1部分及多个第1突出部以外的第1半导体区域中。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 电气设备 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,具备:第1电极;第1导电型的第1半导体区域,设在上述第1电极之上,上述第1半导体区域具有多个第1部分和多个第1突出部,上述多个第1部分沿着第1方向和与上述第1方向垂直的第2方向排列,上述多个第1突出部分别从上述多个第1部分突出;相互隔开间隔的第2导电型的第2半导体区域,上述第2半导体区域设在除了上述多个第1部分及上述多个第1突出部以外的上述第1半导体区域中;第2导电型的第3半导体区域,设在上述第1半导体区域及上述多个第2半导体区域之上;第1导电型的第4半导体区域,设在上述第3半导体区域之上;第2导电型的第5半导体区域,有选择地设在上述第4半导体区域之上;栅极电极,隔着栅极绝缘层而与上述第4半导体区域面对;以及第2电极,设在上述第5半导体区域之上。
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