[发明专利]一种在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法有效

专利信息
申请号: 201710657738.9 申请日: 2017-08-03
公开(公告)号: CN107475678B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 赵斌 申请(专利权)人: 惠州市烯谷新能源产业技术研究院有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58;H01M2/14;H01M2/16;H01M10/0525
代理公司: 44352 深圳市德锦知识产权代理有限公司 代理人: 丁敬伟<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 516000 广东省惠州市东江*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开提供一种利用真空磁控溅射技术在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法,它通过利用真空磁控溅射镀膜技术在锂电池用PE隔离膜上沉积一层陶瓷膜,改善PE隔膜对电解液的润湿性和提高PE隔膜热稳定性。在真空环境下,利用高能等离子体轰击所述PE隔膜,将聚烃分子键部分打开,在聚烃分子键打开的同时,利用磁控溅射将陶瓷材料嵌入到被打开的所述聚烃分子键位置从而形成陶瓷膜涂层,由分子键结合的陶瓷涂层,大大提高了与PE膜的结合力,通过精密控制陶瓷膜厚度,最大限度地减小了对PE隔膜通孔率的影响。
搜索关键词: 陶瓷膜 烃分子 真空磁控溅射镀膜 高能等离子体 真空磁控溅射 分子键结合 表面制备 磁控溅射 精密控制 热稳定性 陶瓷材料 陶瓷涂层 真空环境 电解液 隔离膜 键位置 结合力 润湿性 通孔率 锂电池 沉积 减小 轰击 嵌入
【主权项】:
1.一种在PE隔膜表面制备陶瓷膜的方法,其特征在于,在真空环境下,利用高能等离子体轰击所述PE隔膜,将聚烃分子键部分打开,在聚烃分子键打开的同时,利用磁控溅射将陶瓷材料嵌入到被打开的所述聚烃分子键位置从而形成陶瓷膜涂层;/n包括以下步骤:/na、将要处理的所述PE隔膜在净化房内分切成需要的尺寸后安装在真空磁控溅射镀膜设备的放卷辊上;/nb、开启真空磁控溅射镀膜设备,调整设备至可镀膜工艺条件为:本底真空度5× 10-3Pa、工艺气氛3× 10-1Pa、加热温度80-200℃、离子源功率0.2-3kw、中频磁控溅射阴极功率1-20W、镀膜速度0.1-5m/s;/nc、开启离子源轰击PE膜,将聚烃分子键部分打开;/nd、在聚烃分子键打开的同时,开启真空磁控溅射镀膜设备的中频溅射阴极,利用中频磁控溅射阴极反应溅射Si靶材,形成Si3N4-陶瓷材料嵌入到被打开的聚烃分子键位置;通过对磁控溅射阴极的工艺的控制,形成一层致密的陶瓷膜;/ne、隔膜表面沉积陶瓷膜后,在真空状态下进行退火处理,消除陶瓷膜应力。/n
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