[发明专利]一种无耦合系统的C‑mount封装半导体激光泵浦低阈值微片激光器及其控制方法在审

专利信息
申请号: 201710652798.1 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN107196181A 公开(公告)日: 2017-09-22
发明(设计)人: 程文雍;杨厚文;王晓倩 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01S3/091 分类号: H01S3/091;H01S3/11;H01S3/04;H01S3/02;H01S3/16;H01S5/022;H01S5/024
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 杨树云
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及一种无耦合系统的C‑mount封装半导体激光泵浦低阈值微片激光器及其控制方法,包括C‑mount封装半导体激光器、增益介质、饱和吸收体;C‑mount封装半导体激光器发射脉冲或者连续泵浦光,直接照射到增益介质中,通过饱和吸收体的可饱和吸收效应控制谐振腔损耗,形成脉冲激光。本发明不经过任何耦合光学系统,直接进入增益介质。由于传播距离较短,泵浦光在增益介质前表面大小可以认为等于在激光器表面的尺寸,保证了增益介质上的泵浦光斑较小,泵浦速率得到了提高,降低了激光器的工作阈值。由于不包含泵浦光耦合系统,大大减小了整机的尺寸,使得激光器更加紧凑。
搜索关键词: 一种 耦合 系统 mount 封装 半导体 激光 泵浦低 阈值 激光器 及其 控制 方法
【主权项】:
一种无耦合系统的C‑mount封装半导体激光泵浦低阈值微片激光器,其特征在于,包括C‑mount封装半导体激光器、增益介质、饱和吸收体;所述C‑mount封装半导体激光器发射脉冲或者连续泵浦光,直接照射到所述增益介质中,通过所述饱和吸收体的可饱和吸收效应控制谐振腔损耗,形成脉冲激光。
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