[发明专利]一种IBC电池制备方法

摘要

本发明适用于太阳能电池制备技术领域，本发明提供一种IBC电池制备方法，通过采用离子注入技术，对形成绒面的硅片的背表面和前表面进行磷掺杂处理；采用等离子体增强化学气相沉积法，对硅片的背表面和前表面进行扩散掩膜处理；去除硅片的背表面的P+区域的扩散掩膜层和离子掺杂层；在预设温度下对硅片进行三溴化硼扩散，在硅片的背表面形成P型区域，P型区域的方阻控制在第一预设范围内；对离子掺杂层进行激活形成背场和前场，背场的方阻控制在第二预设范围内，前场的方阻控制在第三预设范围内。本发明实施例能够实现离子注入进行磷掺杂处理，并利用三溴化硼扩散的高温实现对离子注入杂质的激活，可简化IBC电池制作的流程，降低生产成本。

主权项

一种IBC电池制备方法，其特征在于，包括：选取N型硅片，对硅片进行表面损伤去除和表面结构化处理，在硅片表面形成绒面；采用离子注入技术，对硅片的背表面和前表面进行磷掺杂处理，在硅片的背表面和前表面形成离子掺杂层；采用等离子体增强化学气相沉积法，对硅片的背表面和前表面进行扩散掩膜处理，在硅片的背表面和前表面形成扩散掩膜层；去除硅片的背表面的P+区域的扩散掩膜层和离子掺杂层；在预设温度下对硅片进行三溴化硼扩散，在硅片的背表面形成P型区域，所述P型区域的方阻控制在第一预设范围内；对离子掺杂层进行激活形成背场和前场，所述背场的方阻控制在第二预设范围内，所述前场的方阻控制在第三预设范围内；去除硅片的扩散掩膜层和三溴化硼扩散形成的硼硅玻璃层；对硅片进行化学钝化处理；对硅片进行减反射层沉积处理；制作硅片的金属电极。