[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201710650735.2 | 申请日： | 2017-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN107623030B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 孙辉;刘美华;林信南;陈东敏 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
一种高电子迁移率晶体管的制造方法及高电子迁移率晶体管。所述制造方法包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si |
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| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管的制造方法，其特征在于，包括：对清洗完成的晶圆，沉积Si3N4介质层；定义隔离区，在隔离区内填充SiO2；制备第一级栅极窗口；在晶圆表面沉积栅介质层，并制备第二级栅极窗口；沉积栅极金属；制备源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆接触金属，并定义出源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域；制备表面保护层，并对该保护层进行开孔，以打开源极金属电极区域、漏极金属电极区域、和栅极金属电极区域。
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