[发明专利]一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜生长装置有效

专利信息
申请号: 201710650507.5 申请日: 2017-08-02
公开(公告)号: CN107400918B 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 赵晋津;孔国丽;王晨;欧云;甄云策;刘正浩;苏晓;王一 申请(专利权)人: 石家庄铁道大学;中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: C30B19/00 分类号: C30B19/00
代理公司: 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 代理人: 刘洪勋
地址: 050043 河北省石*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜装置,包括主槽和固定槽,主槽内部放置有固定槽,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口,固定槽前后侧面设有侧通液口,固定槽底部设有底通液口可以避免薄膜生长过程中由于大气压力而产生的阻力,主槽底部边缘设有圆角,可以防止薄膜生长过程中溶液中的溶质析出在主槽边角处沉积,便于设备使用后的清洗,固定槽内外壁边角处设有圆角可以保证在薄膜生长过程中溶液能够顺利流通,固定槽内设有第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽,可以同时进行两组薄膜生长实验,避免偶然因素对薄膜生长产生影响。
搜索关键词: 一种 原位 生长 有机 无机 钙钛矿单晶 薄膜 装置
【主权项】:
1.一种原位生长有机钙钛矿单晶薄膜装置,包括主槽(1)和固定槽(2),其特征在于:所述主槽(1)内部放置有固定槽(2),所述固定槽(2)内设有第一卡槽(3)、第二卡槽(4)和第三卡槽(5),所述固定槽(2)前后侧面设有侧通液口(6),所述固定槽(2)底部设有底通液口(7),所述第一卡槽(3)、第二卡槽(4)和第三卡槽(5)内固定有第一生长基(8)和第二生长基(9);通过控制第一卡槽(3)、第二卡槽(4)和第三卡槽(5)之间的间距来控制生长的薄膜的厚度;所述主槽(1)底部边缘设有圆角,所述固定槽(2)内外壁边角处设有圆角,所述主槽(1)为石英玻璃槽,所述固定槽(2)为聚四氟乙烯塑料槽;所述第一生长基(8)上设有第一基底(10)、第一电子或空穴传输层(11)、第二基底(12)和第二电子或空穴传输层(13),所述第二生长基(9)上设有第三基底(14)、第三电子或空穴传输层(15)、第四基底(16)和第四电子或空穴传输层(17),所述第一基底(10)、第二基底(12)、第三基底(14)和第四基底(16)为透明的普通玻璃、FTO玻璃、ITO玻璃或AZO玻璃,所述第一电子或空穴传输层(11)、第二电子或空穴传输层(13)、第三电子或空穴传输层(15)和第四电子或空穴传输层(17)为TiO2、SnO2、NiOx、LiMgNiOx、ZnO或V2O5;所述第一卡槽(3)内依次紧密固定有第一基底(10)和第一电子或空穴传输层(11),所述第二卡槽(4)内依次紧密固定有第二电子或空穴传输层(13)、第二基底(12)、第三基底(14)和第三电子或空穴传输层(15),所述第三卡槽(5)内依次紧密固定有第四电子或空穴传输层(17)和第四基底(16)。
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