[发明专利]一种基于提拉法制备一维氧化物纤维场效应晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种基于提拉法制备一维氧化物纤维场效应晶体管的方法，其制备方法如下：S1，In₂O₃前驱体溶液的制备；S2，In₂O₃纤维的制备；S3，源、漏电极的制备。该发明其总体实施方案低成本，工艺简单，原理可靠，产品性能好，制备环境友好，应用前景广阔，为大面积制备高性能纤维FET器件提供可行性方案。

主权项

1.一种基于提拉法制备一维氧化物纤维场效应晶体管的方法，其特征在于，其制备方法如下：S1，In₂O₃前驱体溶液的制备：先将硝酸铟In(NO₃)₃·xH₂O溶于二甲基甲酰胺溶剂中，在20‑90摄氏度下磁力搅拌1‑24小时形成澄清透明、浓度为0.01‑0.5摩尔的前驱体溶液，再将聚乙烯吡咯烷酮130万分子量加入到前驱体溶液中，每5毫升前驱体溶液添加聚乙烯吡络烷酮0.1‑1.5克；S2，In₂O₃纤维的制备：先将配制得到的In₂O₃前驱体溶液滴到无尘试纸上，利用氮气枪吹至干胶状，将内径为0.1‑0.5毫米的医用注射器针头“蘸”到干胶表面，随后以每秒2‑20厘米的速度向外提拉针头，由于干胶较高的粘度，针头末端会有丝状物被提起，在表面张力及重力等作用下，丝状物中的溶剂会快速挥发，随后固态纤维会慢慢下落，用热氧化得到的SiO₂/Si衬底作为接收端收集下落的丝状纤维，随后再将提拉制得的In₂O₃复合纤维样品放到高压汞灯下利用UV光处理10‑80分钟，其中汞灯波长范围为200‑400纳米，功率为500‑1200瓦，然后将光处理后的In₂O₃复合纤维样品放置在炉子中进行煅烧处理得到相纯的In₂O₃纤维；其中煅烧环境为空气，炉子温度为300‑800摄氏度，退火时间为10‑200分钟；S3，源、漏电极的制备：利用真空热蒸发技术和不锈钢掩膜版在In₂O₃纤维沟道层上制备金属源、漏电极，即得到基于SiO₂介电层的In₂O₃纤维FET器件。