[发明专利]一种基于CMOS工艺的光敏二极管有效
| 申请号： | 201710646259.7 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN107546286B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 肖永贵;石开伟;廖晓鹰;邓青秀 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇春科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/02 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 唐致明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区布*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于CMOS工艺的光敏二极管，其包括阻挡层、本征层、Diode、N阱区、离子注入区、场氧区，其中所述各层按照N阱区、离子注入区、Diode、场氧区、本征层、阻挡层的从下到上的顺序依次排布；所述光敏二极管在场氧区的宽、长均为13～15um。通过限定各层之间的间距及场氧区的面积等，从而增加该光敏二极管在单位时间里对光电子的吸收量，进而提高了光敏二极管的灵敏度，其解决了光敏二极管的灵敏度、暗电流与光电流的转移关系，同时解决了感光二极管吸收不同频率波长光的临界值，使得光电子信号转为可定向控制的逻辑信号，广泛应用于二极管领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 光敏 二极管 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS工艺的光敏二极管，其特征在于，其包括阻挡层、本征层、Diode、N阱区、离子注入区、场氧区，其中所述各层按照N阱区、离子注入区、Diode、场氧区、本征层、阻挡层的从下到上的顺序依次排布；所述光敏二极管在场氧区的宽、长均为13～15um。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
