[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710640946.8 | 申请日： | 2012-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN107359139B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 富田和朗 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;戚传江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置。半导体装置具有元件形成区域和在俯视时包围元件形成区域的保护环区域，具有：保护环，在最上部包含形成于保护环区域的保护环用最上层导电层；钝化膜，形成于保护环区域和元件形成区域；以及第1感光性有机绝缘膜，形成为覆盖钝化膜，在钝化膜的表面，在比保护环用最上层导电层靠元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部，而且钝化膜的表面在比阶梯部靠内周侧低于保护环用最上层导电层正上方，第1感光性有机绝缘膜具有相比阶梯部位于外周侧的外周端缘，第1感光性有机绝缘膜的表面在比阶梯部靠内周侧低于保护环用最上层导电层正上方，外周端缘位于保护环用最上层导电层的正上方。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 最上层 钝化膜 元件形成区域 半导体装置 有机绝缘膜 感光性 阶梯部 内周 外周端 包围元件 阶梯部位 外周 俯视 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有元件形成区域和在俯视时包围所述元件形成区域的保护环区域，所述半导体装置的特征在于，具有：保护环(GR)，在最上部包含以在所述俯视时包围所述元件形成区域的周围的方式形成于所述保护环区域的保护环用最上层导电层(TCL)；钝化膜(PL)，以覆盖所述保护环用最上层导电层(TCL)的方式形成于所述保护环区域和所述元件形成区域；第1感光性有机绝缘膜(PO1)，形成为覆盖所述钝化膜(PL)；以及第2感光性有机绝缘膜(PO2)，形成在所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)上，在所述钝化膜(PL)的表面，在比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠所述元件形成区域侧即靠内周侧形成有阶梯部(TRE)，而且比所述保护环用最上层导电层(TCL)靠内周侧的所述钝化膜(PL)的表面低于所述保护环用最上层导电层(TCL)正上方的所述钝化膜(PL)的表面，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)具有相比所述阶梯部(TRE)位于外周侧的外周端缘(ED1)，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)的表面在比所述阶梯部(TRE)靠内周侧低于所述保护环用最上层导电层(TCL)正上方，所述第1感光性有机绝缘膜(PO1)的所述外周端缘(ED1)和所述第2感光性有机绝缘膜(PO2)的外周端缘(ED2)双方位于所述保护环用最上层导电层(TCL)的正上方。
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