[发明专利]利用半导体热电效应改善变频器功率模块散热性能的方法在审

专利信息
申请号: 201710636359.1 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN107454799A 公开(公告)日: 2017-12-08
发明(设计)人: 刘三海 申请(专利权)人: 阳泉煤业(集团)有限责任公司
主分类号: H05K7/20 分类号: H05K7/20
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)11435 代理人: 申绍中
地址: 045008*** 国省代码: 山西;14
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摘要: 一种利用半导体热电效应改善变频器功率模块散热性能的方法,目的是散热成本低、效率高;本发明先做中空矩形六面体散热铝块,顶部和底部分别为散热面和固定面均设有螺丝孔,其余四个侧面均设有散热通孔;将变频器上原有的IGBT功率模块从变频器内腔侧板上拆下来,在原拆除位置表面涂导热硅胶,中空散热铝块底部涂导热硅胶后粘贴在变频器内腔侧板上,并采用螺丝进一步固定,导热硅胶有导热的作用;采用半导体制冷片作为制冷元件;将半导体制冷片的制热面贴在中空散热铝块的散热面上;再将IGBT功率模块覆盖到半导体制冷片制冷面上,采用螺丝将IGBT功率模块固定到中空散热铝块散热面上;将半导体制冷片并联后接到变频器的DC12v电源上。
搜索关键词: 利用 半导体 热电 效应 改善 变频器 功率 模块 散热 性能 方法
【主权项】:
一种利用半导体热电效应改善变频器功率模块散热性能的方法,其特征是:(1)先制作一个中空散热铝块,中空散热铝块为中空矩形六面体,顶部和底部分别为散热面和固定面,顶部和底部上均设有螺丝孔,其余四个侧面上均设有散热通孔;(2)将变频器上原有的IGBT功率模块从变频器内腔侧板上拆下来,在原拆除位置表面涂导热硅胶,中空散热铝块底部涂导热硅胶后粘贴在变频器内腔侧板上,并采用螺丝进一步固定;(4)采用半导体制冷片作为制冷元件;在中空散热铝块顶部散热面涂上导热硅胶,将半导体制冷片的制热面贴在中空散热铝块的散热面上;再将IGBT功率模块覆盖到半导体制冷片制冷面上,采用螺丝将IGBT功率模块固定到中空散热铝块散热面上;半导体制冷片夹在IGBT功率模块与中空散热铝块之间对IGBT功率模块进行散热;(5)将半导体制冷片并联后接到变频器的DC12v电源上,半导体制冷片制冷面开始制冷,使IGBT功率模块工作时产生热量迅速释放,同时,半导体制冷片制热面散发的温度通过中空散热铝块带走,从而使IGBT功率模块始终保持在稳定温度范围内安全运行。
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