[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底包括核心区和周边区；在基底上形成伪栅结构，包括栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅电极层；在伪栅结构露出的基底上形成层间介质层，层间介质层露出伪栅结构顶部；去除核心区伪栅结构，在核心区层间介质层内形成露出基底的第一开口；在第一开口露出的基底上形成牺牲层；形成牺牲层后，去除周边区的伪栅电极层，在周边区层间介质层内形成第二开口；去除牺牲层；在第一开口底部和侧壁、第二开口侧壁以及第二开口中的栅氧化层上形成高k栅介质层。通过本发明技术方案，提高周边区栅氧化层的质量和厚度均一性，且避免去除周边区伪栅电极层的工艺对核心区基底造成损耗或损伤。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括核心区和周边区；在所述基底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括栅氧化层以及位于所述栅氧化层上的伪栅电极层；在所述伪栅结构露出的基底上形成层间介质层，所述层间介质层露出所述伪栅结构的顶部；去除所述核心区的伪栅结构，在所述核心区的层间介质层内形成露出所述基底的第一开口；在所述第一开口露出的基底上形成牺牲层；形成所述牺牲层后，去除所述周边区的伪栅电极层，在所述周边区的层间介质层内形成第二开口；形成所述第二开口后，去除所述牺牲层；去除所述牺牲层后，在所述第一开口底部和侧壁、所述第二开口侧壁以及所述第二开口中的栅氧化层上形成高k栅介质层。