[发明专利]气相生长装置及气相生长方法

摘要

本发明提供了一种气相生长装置及气相生长方法，所述气相生长装置内部包括用于载置一基底(例如硅晶片)的衬托器，衬托器底部具有多个顶杆孔，另外所述气相生长装置还包括可沿所述顶杆孔升降的多个顶杆，顶杆中形成有用于通入吹扫气体的空心通道，此外，所述气相生长装置还包括用于通入工艺气体的第一进气口以及用于通入吹扫气体的第二进气口。在气相生长过程中，所述空心通道与顶杆孔互相连通，向所述顶杆内的空心通道通入一吹扫气体，吹扫气体对顶杆孔附近的其他气体例如工艺气体具有阻挡作用，因而减少或避免了工艺气体从顶杆孔与顶杆之间的间隙到达所述基底的背面，可以提高气相生长所得到的例如外延晶片的平坦度。

主权项

1.一种气相生长装置，其特征在于，包括：一衬托器，包括一底部和包围所述底部的侧部，所述底部和侧部限定有用以载置一基底的凹坑，所述衬托器上还形成有多个贯穿所述底部的顶杆孔；可沿所述顶杆孔升降并具有一最低位置的顶杆，所述顶杆中形成有用于通入吹扫气体的空心通道；用于通入工艺气体的第一进气口；以及用于通入吹扫气体的第二进气口，所述吹扫气体经由所述第二进气口和所述空心通道通入至所述顶杆孔内。