[发明专利]利用苯系蒸汽对石墨烯表面处理的方法及应用有效
| 申请号： | 201710616901.7 | 申请日： | 2017-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN107492502B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 姜兆辉;郭增革;李春红;刘玉洁 | 申请（专利权）人： | 山东理工大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京鼎德宝专利代理事务所(特殊普通合伙) 11823 | 代理人： | 潘艳霞 |
| 地址： | 255086 山东省淄*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用苯系蒸汽对石墨烯表面处理的方法，包括以下步骤：1）清洗衬底：依次分别采用丙酮、甲醇、异丙醇清洗衬底各5分钟，并烘干待用；2）采用Sol‑Gel旋涂法在衬底上旋涂石墨烯溶液，再通过机械剥离HOPG获得石墨烯；3）对石墨烯进行表面处理：利用苯系蒸汽在ALD沉积系统里对石墨烯进行表面处理，将衬底放入ALD真空腔室后，沉积的参数为：反应温度90～150℃；反应源：苯系蒸汽；脉冲和清洗时间：金属源和水源的脉冲都为0.1~0.4s；每次金属源脉冲之后，都接着用高纯氮气清洗，反应时间为15~60s，该方法可以实现损伤低，重复性好的能使石墨烯层与栅介质层很好地结合。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 蒸汽 石墨 表面 处理 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种利用苯系蒸汽对石墨烯表面处理的方法，其特征在于，利用苯系蒸汽在ALD沉积系统里对石墨烯进行表面处理，包括以下步骤：1）清洗衬底：依次分别采用丙酮、甲醇、异丙醇清洗衬底各5分钟，去除表面的油污，并烘干待用；2）采用Sol‑Gel 旋涂法在衬底上旋涂石墨烯溶液，再通过机械剥离HOPG获得石墨烯；3）对石墨烯进行表面处理：利用苯系蒸汽在ALD沉积系统里对石墨烯进行表面处理，将衬底放入ALD真空腔室后，沉积的参数为：反应温度90～150℃；反应源：苯系蒸汽；脉冲和清洗时间：金属源和水源的脉冲都为0.1~0.4s；每次金属源脉冲之后，都接着用高纯氮气清洗，冲掉反应副产物和残留的反应源，反应时间为15~60s，结束后关闭苯系蒸汽源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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