[发明专利]一种原子层沉积设备的进气系统及其方法在审
| 申请号: | 201710615439.9 | 申请日: | 2017-07-26 | 
| 公开(公告)号: | CN107400878A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 | 
| 发明(设计)人: | 卢艳 | 申请(专利权)人: | 北京芯微诺达科技有限公司 | 
| 主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 | 
| 代理公司: | 北京高沃律师事务所11569 | 代理人: | 王加贵 | 
| 地址: | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | 本发明公开了一种原子层沉积设备的进气系统,包括相互独立的第一反应腔室和第二反应腔室,第一反应腔室设有第一进气口和第二进气口,第二反应腔室设有第三进气口和第四进气口,第一进气口和第三进气口通过管道连接有一第一气源,第二进气口和第四进气口通过管道连接有一第二气源,第一反应腔室和第二反应腔室分别设有一排气口,两个排气口通过管道连接有真空泵。本发明可提高第一气源和第二气源的利用率,减少气源的闲置时间,提高整体的成膜效率。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 原子 沉积 设备 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
                一种原子层沉积设备的进气系统,其特征在于:包括相互独立的第一反应腔室和第二反应腔室,所述第一反应腔室设有第一进气口和第二进气口,所述第二反应腔室设有第三进气口和第四进气口,所述第一进气口和所述第三进气口通过管道连接有一第一气源,所述第二进气口和所述第四进气口通过管道连接有一第二气源,所述第一反应腔室和所述第二反应腔室分别设有一排气口,两个所述排气口通过管道连接有真空泵。
            
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                    C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
                
            C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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