[发明专利]一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种硅基有机发光器件底电极结构及其制造方法，涉及硅基有机发光领域，其中硅基有机发光器件底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，连接孔设置于透明绝缘膜中，有机接触层通过连接孔连接至第一金属层，第一金属层连接至金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端。连接第一金属层和有机接触层的连接孔设置在底电极的边缘位置或四角位置且突出于发光区。绝缘钝化物包覆有机接触层的外围边缘。本发明的硅基有机发光器件底电极结构将反光层下移，通孔偏置并且对电极进行覆盖绝缘钝化物处理，极大提高了有机发光层铺设时的平整度并减小了电极厚度，提高了发光效率和良品率。

主权项

1.一种硅基有机发光器件底电极结构，包括硅基底，其特征在于，所述底电极包括第一金属层、连接孔、透明绝缘膜、有机接触层，所述硅基底中含有金属氧化物半导体场效应晶体管，所述连接孔设置于透明绝缘膜中，所述有机接触层通过所述连接孔连接至第一金属层，所述第一金属层连接至所述金属氧化物半导体场效应晶体管的输出端，所述有机接触层的材料为ITO、Cr、Mo、Ni、Pt、Au、Cu、Ti、W、Zr、Ta、ZrOx、VOx、MoOx、AlOx、ZnOx、MoN、TiNx、TiSixNy、WSix、WNx、WSixTy、TaNx、TaSixNy、SiOx、SiNx、SiC中的一种材料或其任意比例的混合物；所述底电极还包括第二金属层，所述第二金属层设置于所述有机接触层和所述第一金属层之间，所述连接孔与所述第二金属层在同一水平高度错开设置且不相连接，所述第二金属层被透明绝缘膜所包含；所述有机接触层的外围边缘由绝缘钝化物包覆，使所述有机接触层中未被包覆的区域形成发光区，所述绝缘钝化物为氧化硅、氮化硅、光致抗蚀剂中的一种或其混合物；所述底电极具有凹陷部，所述凹陷部与相邻底电极的突出部相嵌。