[发明专利]用于层转移的金属载体以及用于形成所述金属载体的方法

摘要

本发明涉及用于层转移的金属载体以及用于形成所述金属载体的方法。本发明的实施例涉及半导体结构以及形成所述半导体结构的方法。在一些实施例中，所述方法可以用于制造半导体衬底，通过以预定深度在施主结构中形成弱化地带，以限定连附表面和所述弱化地带之间的转移层以及所述弱化地带和与所述连附表面相对的表面之间的剩余施主结构。金属层形成在所述连附表面上，并且在所述金属层和所述转移层之间提供欧姆接触，为金属层提供匹配的热膨胀系数，其与所述转移层的热膨胀系数紧密匹配，并且提供足够的刚度以提供对于所述转移层的结构支撑。所述转移层在所述弱化地带处与所述施主结构分离，从而形成包括所述转移层和所述金属层的复合衬底。

主权项

一种制造半导体结构的方法，包括：以预定深度在施主结构中形成弱化地带，以限定转移层的连附表面和所述弱化地带之间的转移层以及所述弱化地带和与转移层的连附表面相对的表面之间的剩余施主结构；在转移层的连附表面上沉积金属层，从而在转移层的连附表面上方的位置形成所述金属层，并且在转移层的连附表面上的位置形成包括所述金属层的金属支撑结构，所述金属支撑结构具有足够的刚度以对所述转移层进行结构支撑；使得所述转移层在所述弱化地带处与所述施主结构分离，从而形成包括所述转移层和所述金属层的复合衬底，所述转移层包括转移的第一半导体材料层；以及在所述转移的第一半导体材料层上生长至少一个附加半导体材料层；其中所述金属层具有与所述半导体结构中的转移的第一半导体材料层的热膨胀系数紧密匹配的热膨胀系数，其中在转移层的连附表面上沉积金属层包括：在转移层的连附表面上沉积接触层，所述接触层提供与所述转移层的电接触；以及在接触层上沉积难熔金属层，所述难熔金属层与所述接触层导电连接，其中所述难熔金属层比所述接触层厚，其中接触层也用作金属支撑结构的随后沉积的种子金属。