[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710611498.9 | 申请日： | 2017-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109300788A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 唐粕人;卜伟海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域；在所述衬底第一区域形成第一外延层，所述第一外延层顶部表面高于所述第一区域衬底表面；在所述衬底第二区域形成第二外延层，所述第二外延层顶部表面高于所述第二区域衬底表面；对所述第一外延层和第二外延层进行刻蚀，增加所述第一外延层和第二外延层之间间距。增加所述第一外延层和第二外延层之间间距，能够防止所述第一外延层和第二外延层接触，减小第一外延层与第二外延层之间的漏电流，改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 外延层 衬底 半导体结构 第二区域 第一区域 衬底表面 顶部表面 漏电流 减小 刻蚀 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括相邻的第一区域和第二区域；在所述衬底第一区域形成第一外延层；在所述衬底第二区域形成第二外延层；对所述第一外延层侧壁和第二外延层侧壁进行刻蚀，增加所述第一外延层和第二外延层之间间距。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
