[发明专利]用于增强自底向上特征填充的原子层蚀刻在审
| 申请号： | 201710604639.4 | 申请日： | 2017-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN107644835A | 公开（公告）日： | 2018-01-30 |
| 发明（设计）人： | 萨曼莎·坦;特塞翁格·金姆;游正义;普拉文·纳拉;诺维·特约克洛;阿尔图尔·科利奇;克伦·雅各布斯·卡纳里克 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所31263 | 代理人： | 李献忠,张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及用于增强自底向上特征填充的原子层蚀刻。原子层蚀刻(ALE)使得能够通过自底向上填充，例如钴的无电沉积(ELD)来有效地填充半导体和其他衬底上的小特征结构，例如触点和通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增强 向上 特征 填充 原子 蚀刻 | ||
【主权项】：
一种填充半导体衬底上的特征的方法，所述方法包括：(a)通过以下操作从半导体衬底上的特征的颈部区域和相邻场区域中的至少一个定向蚀刻所沉积的材料：(i)通过使所述所沉积的材料暴露于含卤素的气体而使所述所沉积的材料的表面改性；以及(ii)使经改性的所述表面暴露于活化气体以选择性地蚀刻经改性的所述所沉积的材料；以及(b)通过自底向上填充沉积技术在所述特征中沉积金属。
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