[发明专利]一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管

摘要

本发明涉及半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管。一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管，其中，包括绝缘衬底上的多晶或单晶半导体有源层、源漏电极、绝缘保护层、覆盖于有源层和保护层之上的电解质栅介质、与电解质接触的栅电极。本发明的优势在于：1）具有较宽光学带隙的氧化物半导体材料具有成本低、透明的优点；2）探测器的截止波长可通过氧化物半导体材料的组分调节实现；3）基于场效应晶体管结构的氧化物半导体紫外探测器具有更高的响应度、更高的信噪比及稳定性，且可避免对苛刻真空环境的需求；4）采用高介电常数的电解质作为栅介质层，结构简单的同时，大大降低了工作电压。

主权项

1.一种用于紫外光探测的电解质柵氧化物半导体光电晶体管，其特征在于，包括绝缘衬底上的多晶或单晶半导体有源层、源漏电极、绝缘保护层、覆盖于有源层和保护层之上的电解质柵介质层、与电解质接触的栅电极。