[发明专利]扇出型封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710598736.7 申请日: 2017-07-21
公开(公告)号: CN107275302B 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 林挺宇;陈峰 申请(专利权)人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L21/60;H01L25/065
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 张东梅
地址: 214028 江苏省无锡市新区*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种扇出型封装结构,包括:衬底,所述衬底包括凹槽;嵌入在所述衬底的凹槽中的芯片,所述芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘,其中所述衬底的材料在外界热处理条件下能够流动从而将芯片的第二表面和侧面包裹,所述芯片的第一表面与衬底的顶面齐平;以及设置在所述芯片的第一表面以及与所述第一表面齐平的衬底的顶面上的重布线结构,所述重布线结构与所述芯片的第一表面上的导电焊盘电连接。
搜索关键词: 扇出型 封装 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种扇出型封装结构的制造方法,包括:制作带有凹槽的衬底,所述衬底的材料选自半固化片、纯胶、ABF、膜状塑封料、含有填充材料的黏胶,采用注塑或压铸方式制作带有凹槽的衬底;通过视觉识别系统抓取所述凹槽外围边框进行定位,将芯片放置在凹槽的底部,以确保所述芯片定位准确,所述芯片具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述芯片的第一表面包括器件区、芯片电路和导电焊盘,所述芯片的第一表面与凹槽顶部齐平,而所述芯片的第二表面与凹槽底部接触,在将芯片放置在凹槽的底部过程中,对芯片或衬底进行加热,且加热温度不超过衬底材料的玻璃化转变温度Tg点,保证芯片与凹槽粘结良好;填满所述芯片与所述凹槽之间的间隙,其中填满所述芯片与所述凹槽之间的间隙采用加热加压的方法,达到凹槽材料的玻璃化转变温度Tg,衬底的材料软化流动,在压力的辅助下填满间隙;以及在所述芯片的第一表面以及与所述第一表面齐平的衬底的顶面上形成重布线结构。
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