[发明专利]一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极有效
| 申请号： | 201710595922.5 | 申请日： | 2017-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN107419294B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 黄柏标;朱相林;王朋;王泽岩;张晓阳;秦晓燕;刘媛媛;张倩倩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C25B11/06 | 分类号： | C25B11/06;C25B11/02;C25B1/04 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的制备方法，步骤如下：以钼网作为基底，以可溶性镉盐作为镉源，将金属镉沉积在钼网上，将沉积好的钼网置于硫化氢气氛中进行硫化，即得到CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极。本发明制备的CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的光电转化效率高，有较大的应用前景。经实验研究发现CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极光电化学产氢性能，在光电化学测试中光电流超过三毫安，在主要吸光区域光电转化效率接近20％，性能优于传统FTO玻璃上制备的硫化镉电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cds mos2 mo 双层 结构 电极 | ||
【主权项】：
1.一种CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极的制备方法，其特征在于，步骤如下：以钼网作为基底，以可溶性镉盐作为镉源，将金属镉沉积在钼网上，将沉积好的钼网置于硫化氢气氛中进行硫化，即得到CdS/MoS2/Mo双层核壳结构光电极。
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