[发明专利]一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置有效
| 申请号: | 201710575402.8 | 申请日: | 2017-07-14 |
| 公开(公告)号: | CN107236992B | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
| 发明(设计)人: | 刘旭东;毕孝国;惠宇;孙旭东 | 申请(专利权)人: | 大连大学 |
| 主分类号: | C30B29/32 | 分类号: | C30B29/32;C30B11/10 |
| 代理公司: | 21235 大连智高专利事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 盖小静<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 116622 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,包括:升降机构、结晶台、炉体、生长室、燃烧器、棒体原料、送料机构;所述结晶台安装在升降机构上,单晶体在结晶台上进行结晶,所述炉体内部的腔室为生长室,单晶体置于生长室中,所述燃烧器置于炉体上,燃烧器底部的喷嘴与生长室相连通,棒体原料穿过燃烧器置于生长室中的单晶体上方,所述送料机构置于棒体原料顶部。本申请提高了晶体稳定生长所需给料量的控制精度,进而提高了晶体质量和成品率,降低了晶体生长成本。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 焰熔法 生长 光学 级钛酸锶 单晶体 装置 | ||
【主权项】:
1.一种焰熔法生长光学级钛酸锶单晶体装置,其特征在于,包括:升降机构、结晶台、炉体、生长室、燃烧器、棒体原料、送料机构;所述结晶台安装在升降机构上,单晶体在结晶台上进行结晶,所述炉体内部的腔室为生长室,单晶体置于生长室中,所述燃烧器置于炉体上,燃烧器底部的喷嘴与生长室相连通,棒体原料穿过燃烧器置于生长室中的单晶体上方,所述送料机构置于棒体原料顶部;/n所述生长室的结构为三段圆锥台型结构,上段为气体混合与燃烧区,其上底、下底直径分别为40mm、50mm,高度为100mm;中段为晶体生长高温区,其上底、下底直径分别为50mm、60mm,高度为20mm;下段为晶体保温区,其上底、下底直径分别为60mm、70mm,高度为250mm;/n生长室的晶体生长高温区中线的圆周上分布2个互成90°的观测孔,观测孔为外小内大的椭圆喇叭型,炉体壁处椭圆的短轴和长轴分别为10mm和20mm,生长室内壁处椭圆的短轴和长轴分别为15mm和30mm。/n
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