[发明专利]用于运行串行非易失性半导体存储器的方法有效
| 申请号： | 201710574253.3 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107622784B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | F.施图尔费尔纳 | 申请（专利权）人： | 大陆汽车有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;杜荔南 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于运行串行非易失性半导体存储器的方法，其中为了安全地将数据写到半导体存储器中，串行写序列被施加到输入端子上，所述写序列至少利用指令比特序列（指令）、地址比特序列（16比特地址）和数据字节序列（数据字节）构成，其中在传输写序列的比特期间，在时钟输入端处施加时钟信号（C），并且在供电电压端子处施加足够高的供电电压，其中在将写序列和时钟信号（C）传输给半导体存储器期间，在出现太低的供电电压时，写序列和/或时钟信号继续地有错误地被传输。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 运行 串行 非易失性 半导体 存储器 方法 | ||
【主权项】：
用于运行串行非易失性半导体存储器的方法，其中为了安全地将数据写到所述半导体存储器中，串行写序列被施加到输入端子上，所述写序列至少利用指令比特序列（指令）、地址比特序列（16比特地址）和数据字节序列（数据字节）构成，其中在传输所述写序列的比特期间，在时钟输入端处施加时钟信号（C），并且在供电电压端子处需要足够高的供电电压，其特征在于，在将所述写序列和所述时钟信号（C）传输给所述半导体存储器期间，在出现太低的供电电压时，所述写序列和/或所述时钟信号继续地有错误地被传输。
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