[发明专利]芯片级封装及相关方法有效
| 申请号： | 201710573644.3 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN107623010B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 苏炳志;德里克·高淑努尔;拉里·D·金斯曼 | 申请（专利权）人： | 半导体组件工业公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及芯片级封装及相关方法。半导体封装的实施方案可包含：裸片，其耦合到玻璃盖；一或多个内壁，其具有耦合到所述裸片的第一材料；外壁，其具有耦合到所述裸片的第二材料；及玻璃盖，其在所述一或多个内壁处且在所述外壁处耦合到所述裸片；其中所述外壁可位于所述裸片及所述玻璃盖的边缘处，且所述一或多个内壁可位于所述外壁的周界内距所述外壁的所述周界预定距离处；且其中所述第一材料的模量可低于所述第二材料的模量。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片级 封装 相关 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，其包括：裸片，其耦合到玻璃盖；一或多个内壁，其包括耦合到所述裸片的第一材料；外壁，其包括耦合到所述裸片的第二材料；及玻璃盖，其在所述一或多个内壁处且在所述外壁处耦合到所述裸片；其中所述外壁位于所述裸片及所述玻璃盖的边缘处，且所述一或多个内壁位于所述外壁的周界内距所述外壁的所述周界预定距离处；且其中所述第一材料的模量低于所述第二材料的模量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
