[发明专利]一种背光检测光电二极管结构及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201710570730.9 申请日: 2017-07-13
公开(公告)号: CN107452816B 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 胡艳;岳爱文;王权兵;林玲;钟行 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/0352;H01L31/105;H01L31/18
代理公司: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 代理人: 何婷
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及光器件技术领域,提供了一种背光检测光电二极管结构及其加工方法。结构中衬底10上生长有缓冲层20、光吸收层30、帽层40和接触层50,结构还包括:位于所述衬底10的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面91,其中所述弧面91的曲率为30‑60°;所述衬底10的弧面91生长有抗反射层90。本发明设计一种背光检测光电二极管结构,通过腐蚀出特殊的台型(即所述带预设曲率的弧面91的衬底10),解决电吸收调制激光器在蝶型封装中遇到耦合的问题,并采用端面镀膜工艺(即生长抗反射层90),提升光电二极管响应度,提高背光检测效率。
搜索关键词: 一种 背光 检测 光电二极管 结构 及其 加工 方法
【主权项】:
1.一种背光检测光电二极管结构,结构中的衬底(10)上生长有缓冲层(20)、光吸收层(30)、帽层(40)和接触层(50),其特征在于,结构还包括:位于所述衬底(10)的收光面一侧设置有一带预设曲率的弧面(91),其中所述弧面(91)的曲率为30‑60°,并且所述弧面(91)相对衬底(10)为内凹弧面;所述衬底(10)的弧面(91)生长有抗反射层(90);所述衬底(10)的背光面一侧还设置有反射面(110),所述反射面(110)为多层的SiO2的TiO2依次层叠形成。
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