[发明专利]基于三硫化二锑致密薄膜的平面结构杂化太阳能电池

摘要

本发明公开了一种基于三硫化二锑致密薄膜的平面结构杂化太阳能电池，属于薄膜材料与器件领域。该太阳能电池包括透明导电的衬底、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和金属电极，所述光吸收层是用比例为11.5~2.5的SbCl3和硫脲作为前驱体，通过旋涂制备致密Sb2S3薄膜，厚度范围是360纳米至1微米。本发明采用致密的Sb2S3薄膜为光吸收层构成平面结构杂化太阳能电池，其成本低廉、工艺简单、易于大面积生产，相对于介孔结构太阳电池，基于Sb2S3致密薄膜的平面结构太阳电池可重复性强，电池的效率更易进行改进。

主权项

一种基于三硫化二锑致密薄膜的平面结构杂化太阳能电池，包括氧化物透明导电衬底、电子传输层、光吸收层、空穴传输层和金属电极，其特征在于：所述光吸收层是以旋涂法制备的Sb2S3致密薄膜，光吸收层的厚度是360纳米至1微米。