[发明专利]禁带宽度可调的CdTexSe1-x半导体薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种禁带宽度可调的CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜及其制备方法和应用。该薄膜的制备方法包括如下步骤：(1)将Cd源、Te源和Se源溶解到溶剂中，得到镉碲硒前驱液，其中，溶剂为乙二胺与硫醇的混合溶液；(2)将步骤(1)中得到的镉碲硒前驱液涂覆到衬底上，得到CdTe_xSe_1‑x前驱体薄膜；(3)将步骤(2)中得到的CdTe_xSe_1‑x前驱体薄膜进行热处理，冷却，得到禁带宽度可调的CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜；(4)到此终止；或是步骤(2)～(3)往复循环。利用本发明的方法可制备得到具有梯度带隙的半导体薄膜，将其应用于CdTe薄膜太阳电池，能改善电池长波段的光吸收，提高电池的光电转换效率。

主权项

1.一种禁带宽度可调的CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜的制备方法，其中，0<x≤1，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)制备镉碲硒前驱体溶液：将Cd源、Te源和Se源溶解到溶剂中，得到镉碲硒前驱液，其中，溶剂为乙二胺与硫醇的混合溶液；(2)制备CdTe_xSe_1‑x前驱体薄膜：将步骤(1)中得到的镉碲硒前驱液涂覆到衬底上，得到CdTe_xSe_1‑x前驱体薄膜；(3)制备CdTe_xSe_1‑x薄膜：将步骤(2)中得到的CdTe_xSe_1‑x前驱体薄膜进行热处理，冷却，得到CdTe_xSe_1‑x薄膜；(4)到此终止，即为所述的禁带宽度可调的CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜；或是步骤(2)～(3)往复循环，得到CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜，即为所述的禁带宽度可调的CdTe_xSe_1‑x半导体薄膜。