[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710566154.0 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN109256422B | 公开（公告）日： | 2022-04-29 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;翟海青 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：器件衬底，包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端保护环区；第一注入区，设置在所述器件衬底的背面并与所述终端保护环区相对；第二注入区，设置在所述背面并与所述元胞区相对，所述第一注入区环绕所述第二注入区；第三注入区，设置在所述第一注入区中并靠近所述第二注入区，其中，所述第二注入区、所述第三注入区的掺杂浓度均大于所述第一注入区的掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：器件衬底，包括元胞区以及环绕所述元胞区的终端保护环区；第一注入区，设置在所述器件衬底的背面并与所述终端保护环区相对；第二注入区，设置在所述背面并与所述元胞区相对，所述第一注入区环绕所述第二注入区；第三注入区，设置在所述第一注入区中并靠近所述第二注入区，其中，所述第二注入区、所述第三注入区的掺杂浓度均大于所述第一注入区的掺杂浓度。
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