[发明专利]半导体模块、电力转换装置有效
| 申请号： | 201710565919.9 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107611111B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 村上晴彦;米山玲;大月高实;山下秋彦 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 模块 电力 转换 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体模块，其特征在于，具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于所述绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于所述绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于所述第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于所述第2金属图案，所述半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，所述绝缘层的厚度相对于所述半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。
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