[发明专利]一种碳化硅修饰碳糊电极的制备方法在审
| 申请号： | 201710565322.4 | 申请日： | 2017-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN107389761A | 公开（公告）日： | 2017-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王志强;王泓珺;焦晨旭 | 申请（专利权）人： | 中北大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 030051*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅修饰碳糊电极的制备方法，具体步骤如下(1)将石墨粉和碳化硅放入研钵中充分混匀，之后加入液体石蜡，将其充分研磨、混匀制成糊状物；将制好的糊状物填充到聚四氟乙烯管中压实，最后将电极表面打磨、抛光得到电极；(2)在BR缓冲溶液中，利用三电极体系，对步骤(1)制备的电极进行循环伏安扫描，直到得到稳定的循环伏安曲线，将电极取出，用二次去离子水洗净，制备得到本发明的碳化硅修饰碳糊电极。与裸碳糊电极相比，用本发明制备的碳化硅修饰碳糊电极对Hg2+的测定有着明显的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 修饰 电极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅修饰碳糊电极的制备方法，其特征在于：所述方法的具体步骤如下：(1)将石墨粉和碳化硅放入研钵中充分混匀，之后加入液体石蜡，将其充分研磨、混匀制成糊状物；将制好的糊状物填充到聚四氟乙烯管中压实，最后将电极表面打磨、抛光得到电极；(2)在BR缓冲溶液中，利用三电极体系，对步骤(1)制备的电极进行循环伏安扫描，直到得到稳定的循环伏安曲线，将电极取出，用二次去离子水洗净，制备得到本发明的碳化硅修饰碳糊电极。
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