[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

提供一种制造半导体器件的方法，实现了半导体器件的稳定性的提高。得到以下结构：在位于存储区中的半导体衬底上方形成用于存储元件的栅绝缘膜的第一绝缘膜，在位于较低击穿电压MISFET形成区中的半导体衬底上方形成用于较低击穿电压MISFET的栅绝缘膜的第二绝缘膜和在位于较高击穿电压MISFET形成区中的半导体衬底上方形成用于较高击穿电压MISFET的栅绝缘膜的第三绝缘膜。随后形成用于栅电极的膜，然后对膜进行图案化，以形成存储元件、较低击穿电压MISFET和较高击穿电压MISFET的相应栅电极。在形成第一绝缘膜的步骤之后，执行形成第二绝缘膜的步骤。在形成第一绝缘膜的步骤之前，执行形成第三绝缘膜的步骤。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括要形成非易失性存储元件的第一区、要形成第一晶体管的第二区和要形成第二晶体管的第三区；(b)在位于所述第一区、所述第二区和所述第三区中的所述半导体衬底上方，形成用于所述第一晶体管的栅绝缘膜的第一绝缘膜；(c)在步骤(b)之后，从所述第一区去除所述第一绝缘膜，而在所述第二区和所述第三区中的每一个中留下所述第一绝缘膜；(d)在步骤(c)之后，在位于所述第一区中的所述半导体衬底上方和在位于所述第二区和所述第三区中的每一个中的所述第一绝缘膜上方，形成用于所述存储元件的栅绝缘膜的第二绝缘膜；(e)在步骤(d)之后，从所述第二区和所述第三区中的每一个去除所述第二绝缘膜，而在所述第一区中留下所述第二绝缘膜；(f)在步骤(e)之后，从所述第三区去除所述第一绝缘膜，而在所述第一区中留下所述第二绝缘膜，并且在所述第二区中留下所述第一绝缘膜；(g)在步骤(f)之后，在位于所述第三区中的所述半导体衬底上方，形成用于所述第二晶体管的栅绝缘膜的第三绝缘膜；(h)在步骤(g)之后，在位于所述第一区中的所述第二绝缘膜上方、在位于所述第二区中的所述第一绝缘膜上方和在位于所述第三区中的所述第三绝缘膜上方，形成第一膜；以及(i)在步骤(h)之后，对所述第一膜进行图案化，以形成用于所述存储元件的第一栅电极、用于所述第一晶体管的第二栅电极和用于所述第二晶体管的第三栅电极，其中，经由所述第二绝缘膜，在位于所述第一区中的所述半导体衬底上方形成所述第一栅电极，其中，经由所述第一绝缘膜，在位于所述第二区中的所述半导体衬底上方形成所述第二栅电极，其中，经由所述第三绝缘膜，在位于所述第三区中的所述半导体衬底上方形成所述第三栅电极，其中，插入在所述第二栅电极和所述半导体衬底之间的所述第一绝缘膜的厚度大于插入在所述第三栅电极和所述半导体衬底之间的所述第三绝缘膜的厚度，其中，插入在所述第一栅电极和所述半导体衬底之间的所述第二绝缘膜由包括第四绝缘膜、在所述第四绝缘膜上方的第五绝缘膜和在所述第五绝缘膜上方的第六绝缘膜的多层膜制成，以及其中，所述第五绝缘膜具有电荷储存功能。