[发明专利]基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201710558132.X | 申请日： | 2017-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN107170822B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 祝杰杰;马晓华;刘捷龙;陈丽香 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/51;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/285 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管的制作方法，主要解决现有同类器件可靠性差的问题。其自下而上包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层、AlGaN势垒层、GaN帽层和SiN钝化层，GaN缓冲层的两端设有源电极和漏电极，SiN钝化层中设有凹型结构，凹型结构的内壁及SiN钝化层表面设有栅介质层，该栅介质层的凹型结构上设有栅电极，在栅电极下面设有凹槽，该凹槽采用HfZrO负电容材料，栅电极和钝化层表面上的栅介质层上覆盖有SiN保护层，本发明提高了器件的可靠性，减小了增强型器件的栅漏电，可用于作为需要较大阈值电压的开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电容 介质 gan 凹槽 绝缘 增强 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
基于负电容介质的GaN基凹槽绝缘栅增强型高电子迁移率晶体管，自下而上包括衬底(1)、AlN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)、AlGaN势垒层(5)、GaN帽层(6)和SiN钝化层(7)，GaN缓冲层(3)上的两端设有源电极(10)和漏电极(11)，源电极(10)和漏电极(11)上设有金属互联层(13)，SiN钝化层(7)中设有凹型结构，凹型结构的内壁及SiN钝化层(7)表面设有栅介质层(8)，该栅介质层的凹型结构上设有栅电极(12)，栅电极(12)和钝化层(7)表面上的栅介质层(8)上覆盖有SiN保护层(9)，其特征在于：栅电极(12)的下方设有深度至AlN插入层(4)的一个凹槽(14)，以形成阈值电压更正的增强型器件。
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