[发明专利]多层电容器的制造方法有效

专利信息
申请号: 201710552554.6 申请日: 2017-07-07
公开(公告)号: CN107204331B 公开(公告)日: 2019-08-23
发明(设计)人: 刘玮荪 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L23/64 分类号: H01L23/64
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种多层电容器的制造方法,通过形成多层电容器的第一电极、第二电极和介电层,形成多个电容器层,减小了电容器的体积,再形成介质层以包裹住多层电容器,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体一侧的第一电极,使层叠体这一侧的第一电极较第二电极短,采用刻蚀的方法刻蚀层叠体另一侧的第二电极,使层叠体这一侧的第二极较第一电极短,避免了刻蚀大量的沟槽和使用更多的掩模层,精简了工艺、提升了多层电容器的器件的性能。
搜索关键词: 多层 电容器 制造 方法
【主权项】:
1.一种多层电容器的制造方法,其特征在于,所述多层电容器的制造方法包括:在衬底上形成层叠体,所述层叠体包括多个第一电极和多个第二电极,所述第一电极与第二电极交替设置,每个所述第一电极和所述第二电极之间设置有介电层;刻蚀所述层叠体第一侧的所有第一电极,使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短,所有第一电极形成第一外部电极;刻蚀所述层叠体第二侧的所有第二电极,使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短,所有第二电极形成第二外部电极,所述第二侧与所述第一侧相对;形成金属线,所述金属线连接所述第一外部电极和所述第二外部电极;刻蚀所述层叠体第一侧的所有第一电极,使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短,所有第一电极形成第一外部电极的步骤包括:形成介质层以包覆所述层叠体;刻蚀所述层叠体第一侧的介质层,形成第一沟槽;刻蚀所述第一沟槽内的所述第一电极,使所述层叠体第一侧的所有第一电极较所有第二电极短,所有第一电极形成第一外部电极;将所述第一沟槽填充满并且平坦化;刻蚀所述层叠体的第二侧的所有第二电极,使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短,所有第二电极形成第二外部电极的步骤包括:刻蚀所述层叠体第二侧的介质层,形成第二沟槽;刻蚀所述第二沟槽内的所述第二电极,使所述层叠体第二侧的所有第二电极较所有第一电极短,所有第二电极形成第二外部电极;将所述第二沟槽填充满并且平坦化。
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